Nur als Referenz
Artikelnummer | SQS482ENW-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQS482ENW-T1_GE3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SQS482ENW-T1_GE3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 07 - Jul 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | SQS482ENW-T1_GE3 |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 8.5mOhm @ 16.4A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1865 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 62W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | PowerPAK® 1212-8W |
Paket / Koffer: | PowerPAK® 1212-8W |
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Auf Lager | 10854 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
3000 | $0.38561 | $1156.83 |
6000 | $0.36059 | $2163.54 |
15000 | $0.34808 | $5221.2 |
30000 | $0.34125 | $10237.5 |
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