FDN028N20 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN028N20

FDN028N20

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Artikelnummer	FDN028N20
LIXINC Part #	FDN028N20
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDN028N20 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDN028N20 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDN028N20
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SuperSOT-3
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3