ZXMN10B08E6TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

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Artikelnummer	ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part #	ZXMN10B08E6TA
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ZXMN10B08E6TA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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ZXMN10B08E6TA Spezifikationen

Artikelnummer:	ZXMN10B08E6TA
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.3V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	497 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-26
Paket / Koffer:	SOT-23-6