AOI11S60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOI11S60

AOI11S60

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Artikelnummer	AOI11S60
LIXINC Part #	AOI11S60
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AOI11S60 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AOI11S60 Spezifikationen

Artikelnummer:	AOI11S60
Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Serie:	aMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	545 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-251A
Paket / Koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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