NVBLS0D5N04M8TXG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVBLS0D5N04M8TXG

NVBLS0D5N04M8TXG

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Artikelnummer	NVBLS0D5N04M8TXG
LIXINC Part #	NVBLS0D5N04M8TXG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVBLS0D5N04M8TXG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVBLS0D5N04M8TXG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVBLS0D5N04M8TXG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	300A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	0.57mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	296 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	15900 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	429W (Tj)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-HPSOF
Paket / Koffer:	8-PowerSFN

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