Nur als Referenz
Artikelnummer | BSP149H6906XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP149H6906XTSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | BSP149H6906XTSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 07 - Jul 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | BSP149H6906XTSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | SIPMOS® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 660mA (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 0V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 400µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 5 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 430 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.): | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-SOT223-4 |
Paket / Koffer: | TO-261-4, TO-261AA |
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Auf Lager | 19438 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
1000 | $0.62368 | $623.68 |
2000 | $0.58640 | $1172.8 |
5000 | $0.56030 | $2801.5 |
10000 | $0.54165 | $5416.5 |
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