Nur als Referenz
Artikelnummer | IPW60R017C7XKSA1 |
LIXINC Part # | IPW60R017C7XKSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | HIGH POWER_NEW |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPW60R017C7XKSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IPW60R017C7XKSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | * |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | - |
Technologie: | - |
Drain-Source-Spannung (vdss): | - |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | - |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | - |
rds auf (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (max) @ id: | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (max): | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | - |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | - |
Betriebstemperatur: | - |
Befestigungsart: | - |
Gerätepaket des Lieferanten: | - |
Paket / Koffer: | - |
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Auf Lager | 11153 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $23.56000 | $23.56 |
240 | $18.40427 | $4417.0248 |
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