IXBX75N170 | Wickmann / Littelfuse IXBX75N170 | IXBX75N170 Inventory, Best Pricing

IXBX75N170

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Artikelnummer	IXBX75N170
LIXINC Part #	IXBX75N170
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXBX75N170 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IXBX75N170 Spezifikationen

Artikelnummer:	IXBX75N170
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	BIMOSFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	200 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	580 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.1V @ 15V, 75A
Leistung max:	1040 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	350 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	1.5 µs
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PLUS247™-3

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