IGP40N65H5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IGP40N65H5XKSA1 | IGP40N65H5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IGP40N65H5XKSA1

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Artikelnummer	IGP40N65H5XKSA1
LIXINC Part #	IGP40N65H5XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 650V 74A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGP40N65H5XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IGP40N65H5XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGP40N65H5XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	74 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 40A
Leistung max:	255 W
Schaltenergie:	390µJ (on), 120µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	95 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	22ns/165ns
Testbedingung:	400V, 20A, 15Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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