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IRGB4715DPBF

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Artikelnummer	IRGB4715DPBF
LIXINC Part #	IRGB4715DPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT WITH RECOVERY DIODE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRGB4715DPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRGB4715DPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRGB4715DPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	21 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	24 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 8A
Leistung max:	100 W
Schaltenergie:	200µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	30 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	30ns/100ns
Testbedingung:	400V, 8A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB

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