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IKD06N60RAATMA1

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Artikelnummer	IKD06N60RAATMA1
LIXINC Part #	IKD06N60RAATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PARAL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKD06N60RAATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IKD06N60RAATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKD06N60RAATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchStop™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	12 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	18 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 6A
Leistung max:	100 W
Schaltenergie:	110µJ (on), 220µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	48 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12ns/127ns
Testbedingung:	400V, 6A, 23Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	68 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3

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