STGB20NB37LZT4

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Artikelnummer STGB20NB37LZT4
LIXINC Part # STGB20NB37LZT4
Hersteller STMicroelectronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle STGB20NB37LZT4 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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STGB20NB37LZT4 Spezifikationen

Artikelnummer:STGB20NB37LZT4
Marke:STMicroelectronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:STMicroelectronics
Serie:PowerMESH™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Obsolete
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):425 V
Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 4.5V, 20A
Leistung max:200 W
Schaltenergie:11.8mJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:51 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:2.3µs/2µs
Testbedingung:250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK

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