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SGW13N60UFDTM

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Artikelnummer	SGW13N60UFDTM
LIXINC Part #	SGW13N60UFDTM
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SGW13N60UFDTM PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SGW13N60UFDTM Spezifikationen

Artikelnummer:	SGW13N60UFDTM
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	13 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	52 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 6.5A
Leistung max:	60 W
Schaltenergie:	85µJ (on), 95µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	25 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	20ns/70ns
Testbedingung:	300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	55 ns
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK

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