APT35GN120L2DQ2G | Roving Networks / Microchip Technology APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

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Artikelnummer	APT35GN120L2DQ2G
LIXINC Part #	APT35GN120L2DQ2G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 94A 379W TO264
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT35GN120L2DQ2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APT35GN120L2DQ2G Spezifikationen

Artikelnummer:	APT35GN120L2DQ2G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	94 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	105 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 35A
Leistung max:	379 W
Schaltenergie:	2.315mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	220 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	24ns/300ns
Testbedingung:	800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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