IXYP10N65C3D1M | Wickmann / Littelfuse IXYP10N65C3D1M | IXYP10N65C3D1M Inventory, Best Pricing

IXYP10N65C3D1M

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Artikelnummer	IXYP10N65C3D1M
LIXINC Part #	IXYP10N65C3D1M
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXYP10N65C3D1M PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IXYP10N65C3D1M Spezifikationen

Artikelnummer:	IXYP10N65C3D1M
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	XPT™, GenX3™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	15 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	50 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 10A
Leistung max:	53 W
Schaltenergie:	240µJ (on), 170µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	18 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	20ns/77ns
Testbedingung:	400V, 10A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	26 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220 Isolated Tab

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