RGT8NS65DGC9 | ROHM Semiconductor RGT8NS65DGC9 | RGT8NS65DGC9 Inventory, Best Pricing

RGT8NS65DGC9

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Artikelnummer	RGT8NS65DGC9
LIXINC Part #	RGT8NS65DGC9
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RGT8NS65DGC9 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RGT8NS65DGC9 Spezifikationen

Artikelnummer:	RGT8NS65DGC9
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	8 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	12 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
Leistung max:	65 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	13.5 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	17ns/69ns
Testbedingung:	400V, 4A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	40 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-262

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