NTE3323

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Artikelnummer NTE3323
LIXINC Part # NTE3323
Hersteller NTE Electronics, Inc.
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT-1200V 25AMP
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle NTE3323 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTE3323 Spezifikationen

Artikelnummer:NTE3323
Marke:NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:NTE Electronics, Inc.
Serie:-
Paket:Bag
Teilstatus:Active
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):25 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):50 A
vce(on) (max) @ vge, ic:4V @ 15V, 25A
Leistung max:200 W
Schaltenergie:-
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:400ns/800ns
Testbedingung:-
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P

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