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IRG7PH35UD-EP

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Artikelnummer	IRG7PH35UD-EP
LIXINC Part #	IRG7PH35UD-EP
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 50A COPAK247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRG7PH35UD-EP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRG7PH35UD-EP Spezifikationen

Artikelnummer:	IRG7PH35UD-EP
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 20A
Leistung max:	180 W
Schaltenergie:	1.06mJ (on), 620µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	85 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	30ns/160ns
Testbedingung:	600V, 20A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	105 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AD

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