SGP23N60UFDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor SGP23N60UFDTU

SGP23N60UFDTU

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Artikelnummer	SGP23N60UFDTU
LIXINC Part #	SGP23N60UFDTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 23A 100W TO220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SGP23N60UFDTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

SGP23N60UFDTU Spezifikationen

Artikelnummer:	SGP23N60UFDTU
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	23 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	92 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 12A
Leistung max:	100 W
Schaltenergie:	115µJ (on), 135µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	49 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	17ns/60ns
Testbedingung:	300V, 12A, 23Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	60 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3