SGB15N120ATMA1 | Rochester Electronics SGB15N120ATMA1 | SGB15N120ATMA1 Inventory, Best Pricing

SGB15N120ATMA1

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Artikelnummer	SGB15N120ATMA1
LIXINC Part #	SGB15N120ATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 30A I(C), 1200V V(BR)CES,
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SGB15N120ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SGB15N120ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SGB15N120ATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	52 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.6V @ 15V, 15A
Leistung max:	198 W
Schaltenergie:	1.9mJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	130 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18ns/580ns
Testbedingung:	800V, 15A, 33Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-3-2

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