IGP01N120H2XKSA1 | Rochester Electronics IGP01N120H2XKSA1 | IGP01N120H2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IGP01N120H2XKSA1

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Artikelnummer	IGP01N120H2XKSA1
LIXINC Part #	IGP01N120H2XKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGP01N120H2XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IGP01N120H2XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGP01N120H2XKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	3.2 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	3.5 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 1A
Leistung max:	28 W
Schaltenergie:	140µJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	8.6 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	13ns/370ns
Testbedingung:	800V, 1A, 241Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3

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