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STGW80H65DFB

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Artikelnummer	STGW80H65DFB
LIXINC Part #	STGW80H65DFB
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 650V 120A 469W TO-247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGW80H65DFB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGW80H65DFB Spezifikationen

Artikelnummer:	STGW80H65DFB
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	120 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 80A
Leistung max:	469 W
Schaltenergie:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	414 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	84ns/280ns
Testbedingung:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	85 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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