APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G
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Artikelnummer APT45GP120B2DQ2G
LIXINC Part # APT45GP120B2DQ2G
Hersteller Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle APT45GP120B2DQ2G PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

APT45GP120B2DQ2G Spezifikationen

Artikelnummer:APT45GP120B2DQ2G
Marke:Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:Roving Networks / Microchip Technology
Serie:POWER MOS 7®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):113 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):170 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 45A
Leistung max:625 W
Schaltenergie:900µJ (on), 905µJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:185 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:18ns/100ns
Testbedingung:600V, 45A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:-

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10$15.72212$157.2212
25$14.44700$361.175
100$13.42723$1342.723
250$12.32245$3080.6125
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