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STGB30V60DF

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Artikelnummer	STGB30V60DF
LIXINC Part #	STGB30V60DF
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 60A 258W D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGB30V60DF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGB30V60DF Spezifikationen

Artikelnummer:	STGB30V60DF
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 30A
Leistung max:	258 W
Schaltenergie:	383µJ (on), 233µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	163 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	45ns/189ns
Testbedingung:	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	53 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK