DDB2U30N08VRBOMA1 | IR (Infineon Technologies) DDB2U30N08VRBOMA1 | DDB2U30N08VRBOMA1 Inventory, Best Pricing

DDB2U30N08VRBOMA1

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Artikelnummer	DDB2U30N08VRBOMA1
LIXINC Part #	DDB2U30N08VRBOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 600V 25A 83.5W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DDB2U30N08VRBOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DDB2U30N08VRBOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	DDB2U30N08VRBOMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Aufbau:	3 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	25 A
Leistung max:	83.5 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	880 pF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module