APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

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Artikelnummer	APTGFQ25H120T2G
LIXINC Part #	APTGFQ25H120T2G
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APTGFQ25H120T2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APTGFQ25H120T2G Spezifikationen

Artikelnummer:	APTGFQ25H120T2G
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT and Fieldstop
Aufbau:	Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Leistung max:	227 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	2.02 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	SP2
Gerätepaket des Lieferanten:	SP2

APTGFQ25H120T2G Unterlagen

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