VS-CPV363M4UPBF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-CPV363M4UPBF

VS-CPV363M4UPBF

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Artikelnummer	VS-CPV363M4UPBF
LIXINC Part #	VS-CPV363M4UPBF
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-CPV363M4UPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-CPV363M4UPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-CPV363M4UPBF
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Aufbau:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	13 A
Leistung max:	36 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 6.8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	1.1 nF @ 30 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
Gerätepaket des Lieferanten:	IMS-2