FF200R17KE3S4HOSA1

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Artikelnummer	FF200R17KE3S4HOSA1
LIXINC Part #	FF200R17KE3S4HOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FF200R17KE3S4HOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FF200R17KE3S4HOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FF200R17KE3S4HOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Leistung max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	-
NTC-Thermistor:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

FF200R17KE3S4HOSA1 Unterlagen

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