NTD18N06L | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTD18N06L

NTD18N06L

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Artikelnummer	NTD18N06L
LIXINC Part #	NTD18N06L
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTD18N06L PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 15 - Sep 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTD18N06L Spezifikationen

Artikelnummer:	NTD18N06L
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 5 V
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	675 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 55W (Tj)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63