FDD24AN06LA0_SB82179

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Artikelnummer FDD24AN06LA0_SB82179
LIXINC Part # FDD24AN06LA0_SB82179
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FDD24AN06LA0_SB82179 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 19 - Sep 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD24AN06LA0_SB82179 Spezifikationen

Artikelnummer:FDD24AN06LA0_SB82179
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:PowerTrench®
Paket:Bulk
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:7.1A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:19mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1850 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):75W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252AA
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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