SPP10N10L | IR (Infineon Technologies) SPP10N10L | SPP10N10L Inventory, Best Pricing

SPP10N10L

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SPP10N10L
LIXINC Part #	SPP10N10L
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPP10N10L PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 06 - Jul 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SPP10N10L Spezifikationen

Artikelnummer:	SPP10N10L
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	154mOhm @ 8.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 21µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	444 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	50W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3-1
Paket / Koffer:	TO-220-3