Nur als Referenz
Artikelnummer | APT12057JLL |
LIXINC Part # | APT12057JLL |
Hersteller | Microsemi |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | APT12057JLL PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 09 - Jul 13 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | APT12057JLL |
Marke: | Microsemi |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Microsemi |
Serie: | POWER MOS 7® |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 1200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 570mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 2.5mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 290 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±30V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 6200 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 520W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Chassis Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | SOT-227 |
Paket / Koffer: | SOT-227-4, miniBLOC |
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Auf Lager | 10951 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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