SPB21N10T | IR (Infineon Technologies) SPB21N10T | SPB21N10T Inventory, Best Pricing

SPB21N10T

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SPB21N10T
LIXINC Part #	SPB21N10T
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPB21N10T PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SPB21N10T Spezifikationen

Artikelnummer:	SPB21N10T
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 44µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	38.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	865 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	90W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-3-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB