FQP2N60C

FQP2N60C
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Artikelnummer FQP2N60C
LIXINC Part # FQP2N60C
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FQP2N60C PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQP2N60C Spezifikationen

Artikelnummer:FQP2N60C
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:QFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):54W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
Paket / Koffer:TO-220-3

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