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Artikelnummer | TSM60NB900CH C5G |
LIXINC Part # | TSM60NB900CH C5G |
Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | TSM60NB900CH C5G PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | TSM60NB900CH C5G |
Marke: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 600 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 1.2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 9.6 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±30V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 315 pF @ 100 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 36.8W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-251 (IPAK) |
Paket / Koffer: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Auf Lager | 15033 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.25000 | $1.25 |
10 | $1.11239 | $11.1239 |
100 | $0.87890 | $87.89 |
500 | $0.68156 | $340.78 |
1875 | $0.53807 | $1008.88125 |
3750 | $0.50220 | $1883.25 |
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