Nur als Referenz
Artikelnummer | BSB013NE2LXIXUMA1 |
LIXINC Part # | BSB013NE2LXIXUMA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | BSB013NE2LXIXUMA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | BSB013NE2LXIXUMA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 25 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 36A (Ta), 163A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 1.3mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 62 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 4400 pF @ 12 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / Koffer: | 3-WDSON |
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Auf Lager | 19769 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.04000 | $2.04 |
5000 | $0.89760 | $4488 |
10000 | $0.87877 | $8787.7 |
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