Nur als Referenz
Artikelnummer | IRLB4030PBF |
LIXINC Part # | IRLB4030PBF |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRLB4030PBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IRLB4030PBF |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | HEXFET® |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 100 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 130 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±16V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 11360 pF @ 50 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 370W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220AB |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
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Auf Lager | 17290 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.91000 | $3.91 |
10 | $3.51390 | $35.139 |
100 | $2.92264 | $292.264 |
500 | $2.40984 | $1204.92 |
1000 | $2.06796 | $2067.96 |
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