IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
LIXINC Part #	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 17µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1560 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	48W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN