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TSM60N1R4CH C5G

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Artikelnummer	TSM60N1R4CH C5G
LIXINC Part #	TSM60N1R4CH C5G
Hersteller	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TSM60N1R4CH C5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TSM60N1R4CH C5G Spezifikationen

Artikelnummer:	TSM60N1R4CH C5G
Marke:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.7 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	370 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	38W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA