FDMS86200

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Artikelnummer FDMS86200
LIXINC Part # FDMS86200
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FDMS86200 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS86200 Spezifikationen

Artikelnummer:FDMS86200
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9.6A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2715 pF @ 75 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer:8-PowerTDFN

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