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PMXB360ENEAZ

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Artikelnummer	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMXB360ENEAZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

PMXB360ENEAZ Spezifikationen

Artikelnummer:	PMXB360ENEAZ
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	130 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN1010D-3
Paket / Koffer:	3-XDFN Exposed Pad