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CSD18536KTT

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Artikelnummer	CSD18536KTT
LIXINC Part #	CSD18536KTT
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD18536KTT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

CSD18536KTT Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD18536KTT
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	200A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	140 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11430 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DDPAK/TO-263-3
Paket / Koffer:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA