FCD360N65S3R0 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FCD360N65S3R0
LIXINC Part #	FCD360N65S3R0
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCD360N65S3R0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 15 - Aug 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FCD360N65S3R0 Spezifikationen

Artikelnummer:	FCD360N65S3R0
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	SuperFET® III
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	730 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	83W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D-PAK (TO-252)
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63