IMW120R350M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R350M1HXKSA1 | IMW120R350M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R350M1HXKSA1

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Artikelnummer	IMW120R350M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R350M1HXKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMW120R350M1HXKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 15 - Aug 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMW120R350M1HXKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMW120R350M1HXKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolSiC™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1.2 kV
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V, 18V
rds auf (max) @ id, vgs:	455mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.3 nC @ 18 V
vgs (max):	+23V, -7V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	182 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3-41
Paket / Koffer:	TO-247-3