SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SI7172ADP-T1-RE3 | SI7172ADP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SI7172ADP-T1-RE3

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Artikelnummer	SI7172ADP-T1-RE3
LIXINC Part #	SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI7172ADP-T1-RE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI7172ADP-T1-RE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI7172ADP-T1-RE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	7.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	19.5 nC @ 10 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1110 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8