XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ

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Artikelnummer	XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN9R614MC,L1XHQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	XPN9R614MC,L1XHQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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XPN9R614MC,L1XHQ Spezifikationen

Artikelnummer:	XPN9R614MC,L1XHQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVI
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (max):	+10V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	840mW (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN