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TPH3205WSBQA

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Artikelnummer	TPH3205WSBQA
LIXINC Part #	TPH3205WSBQA
Hersteller	Transphorm
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPH3205WSBQA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPH3205WSBQA Spezifikationen

Artikelnummer:	TPH3205WSBQA
Marke:	Transphorm
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Transphorm
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	35A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 8 V
vgs (max):	±18V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2200 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3