SSM3J168F,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J168F,LF

SSM3J168F,LF

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Artikelnummer	SSM3J168F,LF
LIXINC Part #	SSM3J168F,LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM3J168F,LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM3J168F,LF Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM3J168F,LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVI
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	400mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3 nC @ 10 V
vgs (max):	+20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	82 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.2W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	S-Mini
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3