TK65S04N1L,LQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ

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Artikelnummer	TK65S04N1L,LQ
LIXINC Part #	TK65S04N1L,LQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK65S04N1L,LQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK65S04N1L,LQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK65S04N1L,LQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	65A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2550 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	107W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK+
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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