Nur als Referenz
Artikelnummer | IPP50R299CP |
LIXINC Part # | IPP50R299CP |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPP50R299CP PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IPP50R299CP |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | * |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | - |
Technologie: | - |
Drain-Source-Spannung (vdss): | - |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | - |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | - |
rds auf (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (max) @ id: | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (max): | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | - |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | - |
Betriebstemperatur: | - |
Befestigungsart: | - |
Gerätepaket des Lieferanten: | - |
Paket / Koffer: | - |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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